三星今天宣布，已开始批量生产用于旗舰智能手机的 512GB eUFS 3.1 内存。
新的 512GB eUFS 3.1 内存的写入速度是以前的 512GB eUFS 3.0 的三倍。eUFS 3.1 在业界首次突破了智能手机存储的 1GB / s 性能阈值。
三星 512GB eUFS 3.1 的连续写入速度超过 1,200MB / s，可让用户在智能手机中存储 8K 视频或数百张大尺寸照片，而无需任何缓冲。三星还强调，基于 eUFS 3.1 的新设备仅需约 1.5 分钟即可移动 100GB 数据。三星还计划在今年晚些时候为旗舰智能手机推出 256GB 和 128GB 版本。
三星本月开始在其位于中国西安的新生产线（X2）量产第五代 V-NAND，以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。该公司很快计划将其在韩国平泽线（P1）的 V-NAND 批量生产从第五代转移到第六代 V-NAND，以更好地满足不断增长的需求。
三星 512GB eUFS 3.1 规格：
| 产品 | 顺序读取 | 连续写入 | 随机读取 | 随机写入 |
| 512GB eUFS 3.1（2020 年 3 月） | 2100MB /秒 | 1200MB /秒（3 倍增强） | 100,000 IOPS（1.6 倍增强） | 70,000 IOPS（增强 1.03 倍） |
| 512GB eUFS 3.0（2019 年 2 月） | 2100MB /秒 | 410MB /秒 | 63,000 IOPS | 68,000 IOPS |
| 1TB eUFS 2.1（2019 年 1 月） | 1000MB /秒 | 260MB /秒 | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1（2017 年 11 月） | 860MB /秒 | 255MB /秒 | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
