UFS 3.1 闪存标准发布：更快性能，更高效率

联合电子设备工程理事会（JEDEC）周五发布了 UFS v3.1（JESD220E）标准的规范，以作为对 UFS 3.0 的升级。

根据 JEDEC 的说法，已经为需要高性能，低功耗的移动应用和计算系统开发了新标准。UFS v3.1 提供了新功能，可以提高读/写速度，同时最大程度地减少功耗。

因此，UFS 3.1 定义了许多关键更新，包括 “ Write Booster”（SLC 非易失性缓存，可提高写入速度）。’DeepSleep’–入门级设备的新 UFS 设备低功耗状态，以及’Performance Throttling Notifications（性能节流通知）’，当高温导致存储性能下降时，UFS 设备可以通知主机。

除了 UFS 3.1，该组织还发布了一个可选的新的配套标准，称为 UFS 主机性能增强（HPB）扩展（JESD220-3）。据说它提供了一个选项，可以将 UFS 设备逻辑地址映射缓存到系统 DRAM 中的物理地址映射。“对于密度较大的 UFS 设备，使用系统 DRAM 提供更大更快的缓存，从而提高设备的读取性能，” 该组织在一份官方新闻稿中说。

值得注意的是，去年 UFS 3.0 存储仅用于一些旗舰智能手机，包括三星 Galaxy Note 10 系列。UFS 2.1nand 仍然是 flash 存储的默认标准，去年大多数旗舰智能手机都沿用了老标准。事实上，大多数入门级和中档智能手机都继续搭载 eMMC 存储设备，因此，最新的标准何时能进入消费设备领域，将是一件有趣的事情。